自2003年啓動半導體照明工程後，科技部在科技攻關計劃、863計劃新(xīn)材料領域中先後支持了(le)半導體照明的技術創新(xīn)和産業化(huà)，我國半導體照明産業和技術取得顯著進步，初步形成了(le)從上(shàng)遊材料、中遊芯片制備、下(xià)遊器(qì)件封裝及集成應用的比較完整的研發與産業體系，進入快(kuài)速發展階段。

　　1、産業化(huà)關鍵技術取得較大突破。以企業爲主體的LED制造技術進展較快(kuài)，企業産業化(huà)線上(shàng)完成的功率型芯片封裝後光效達到80~100lm/W。功率型白光LED封裝達到國際先進水平。具有自主知識産權的功率型矽襯底LED芯片封裝後光效達到78lm/W，處于國際先進水平。

　　2、産業初具規模，産業鏈日趨完整，市(shì)場應用走在國際前列。到2009年底，我國共有LED企業3000餘家。其中，上(shàng)遊的外延及芯片生(shēng)産商(shāng)超過40家，中遊封裝企業約有1000家，下(xià)遊應用産品生(shēng)産企業2000家。民(mín)營企業占到企業總數的85%。2009年，我國芯片産值增長25%，達到23億元，與2008年的26%的增速基本持平。2009年，我國LED封裝産值達到204億元，較2008年的185億元增長10%；産量則由2008年的940億隻增加10%，達到1056億隻，其中高亮LED産值達到186億元，占LED總銷售額的90%。同時從産品和企業結構來看國内也(yě)有較大改善，SMD和大功率LED封裝增長較快(kuài)。2009年，我國半導體照明應用産值達到600億元。盡管面對金(jīn)融危機，我國半導體照明産業2009年仍呈現逆勢上(shàng)揚的發展趨勢，産業規模增加到827億元，增加近20%，預計2010年将達到1000億元。

　　3、産業發展環境日趨完善。從科技部2003年啓動半導體照明工程和2009年開展“十城萬盞”工程，到近期發改委等六部委聯合出台産業發展指導意見，以及後危機時代國家提出的培育戰略性新(xīn)興産業，都表明政府正在積極推動我國半導體照明産業的發展。在政府政策的引導和扶持下(xià)，随着器(qì)件性能(néng)的提高和節能(néng)效果的體現，我國半導體照明産業将進入快(kuài)速發展的上(shàng)升期，市(shì)場潛力巨大，将驅動産業升級。爲了(le)促進技術集成創新(xīn)，加速成果産業化(huà)，加強産學研合作(zuò)，國家半導體照明工程研發及産業聯盟(以下(xià)簡稱聯盟)通過建立産業研發基金(jīn)、組織奧運重大示範工程、舉辦創新(xīn)大賽、标準協調推進、建立專利池等工作(zuò)，搭建了(le)産學研合作(zuò)平台，提高了(le)技術創新(xīn)的效率與水平，促進了(le)重大項目的實施。聯盟标準協調推進工作(zuò)成效顯著，8項國家标準和9項行業标準已正式發布，爲支撐“十城萬盞”試點工作(zuò)，聯盟目前已完成LED道路(lù)照明産品、隧道燈、以及道路(lù)和隧道照明産品監督檢驗及安裝驗收實施細則、寒地LED道路(lù)照明産品技術規範等5項推薦性技術規範，同時正在編制室内筒燈、射燈技術規範等。另外，聯盟已聯合國家級檢測機構，定期發布産品檢測數據，爲地方合理(lǐ)地設定示範應用産品的性能(néng)指标提供了(le)科學參考，并正在爲下(xià)一(yī)步發布向地方推薦的、有節能(néng)效果的定型産品的目錄做前期工作(zuò)。聯盟還通過技術标準化(huà)、标準專利化(huà)工作(zuò)，研究制定國家半導體照明專利戰略，研究部署專利網絡，探索專利池運行方式，爲相關部門提供決策支撐。聯盟的工作(zuò)拓展了(le)國内半導體照明發展視野，引起了(le)國際社會的高度關注，對國内産業發展産生(shēng)了(le)重要影響。

　　通過國家半導體照明工程的實施，我國半導體照明産業已經在國際上(shàng)确立了(le)重要的地位，特别是“十城萬盞”所展示的“通過應用促進科技創新(xīn)、發揮科技支撐經濟發展的作(zuò)用、促進節能(néng)減排工作(zuò)”的理(lǐ)念，在國内外都産生(shēng)了(le)巨大而深遠的影響。另外，我國是半導體照明關鍵原材料資源大國，能(néng)夠保障産業的可持續發展。半導體照明産業投資強度與風險遠低(dī)于微電子(zǐ)産業，具有技術勞動雙密集型的特點，适合中國國情，能(néng)夠大規模帶動就(jiù)業。